平成28年(2016年) 電験三種 理論 問11

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そちらも見て下さい。

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半導体の記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

(1)極めて高い純度に生成されたシリコン(Si)の真性半導体に、価電子の数が$3$個の原子、例えばホウ素(B)を加えると$p$形半導体になる。

(2)真性半導体に外部から熱を加えると、その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。

(3)$n$形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い

(4)不純物半導体の導電率は金属より小さいが、真性半導体よりも大きい

(5)真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ、その向きは正孔の移動する向きと同じである。

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解答 （2）  

「誤っているもの」に注意

通常、真性半導体は温度の上昇とともに抵抗率は低下する。
（導体の場合は、抵抗率は上昇）