令和2年(2020年) 電験三種 機械 問10
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問10
パワー 半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBT とパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として，誤っているものを次の（1）～（5）のうちから一つ選べ。
（1）IGBTは電圧駆動形であり，ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。
（2）パワーMOSFETは電流駆動形であり，キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。
（3）パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり，バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。
（4）IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより，スイッチング特性を改善している。
（5）パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで，高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。
答え (2)
（2）パワーMOSFETは電流駆動形であり，キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。
が誤っています。
パワーMOSFETは「電圧」駆動形の素子です。
