橋平礼の電験三種合格講座

電験三種は難関資格の一つです。過去問などを解きながら合格を目指しましょう。

令和2年(2020年) 電験三種 機械 問10

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そちらも見て下さい。 

 

 


  問10

 パワー 半導体スイッチングデバイスとしては近年,主にIGBT とパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として,誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

 

(1)IGBTは電圧駆動形であり,ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。

 

(2)パワーMOSFETは電流駆動形であり,キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。

 

(3)パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり,バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。

 

(4)IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより,スイッチング特性を改善している。

 

(5)パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで,高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。

 


  答え (2) 

(2)パワーMOSFETは電流駆動形であり,キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。

が誤っています。


パワーMOSFETは「電圧」駆動形の素子です。